Çinli araştırmacılar, bugüne kadar bildirilen en hızlı kalıcı yarı iletken bellek(SRAM) cihazını geliştirdiklerini açıkladı. Fudan Üniversitesi’nden bir ekip tarafından geliştirilen bu yeni teknoloji, her 400 pikosaniyede bir bit yazma hızı sunuyor.
Yeni nesil belleğin ismi şimdilik “PoX” (Faz Değişimli Oksit) olarak geçiyor. İki boyutlu grafen kanalına sahip bu flash bellek cihazı, bir yük yakalama katmanıyla birleştirilen Dirac grafen kanalı kullanılarak üretildi. Bu yapı sayesinde, SRAM ve DRAM gibi uçucu belleklerin 1 ila 10 nanosaniye aralığında olan erişim sürelerinden bile daha hızlı çalışabiliyor. Karşılaştırmak gerekirse, 1 pikosaniye, 1 nanosaniyenin binde biri kadar bir süreye denk geliyor.
Hız ve Kalıcılığı Bir Araya Getiriyor
SRAM ve DRAM gibi uçucu bellek türleri yüksek hız sunarken, güç kesildiğinde veriyi kaybediyor. Öte yandan, NAND tabanlı flaş bellekler verileri koruyabiliyor ancak okuma-yazma hızları onlarca mikrosaniyeye kadar çıkabiliyor ve yapay zeka gibi düşük gecikme gerektiren uygulamalarda yetersiz kalabiliyor. PoX teknolojisi, bu iki uç arasındaki boşluğu kapatarak hem hız hem de kalıcılığı aynı anda sunmayı hedefliyor.
Grafen tabanlı bu yeni cihaz, iki boyutlu sıcak taşıyıcı enjeksiyon mekanizmasıyla çalışıyor. İnce gövde yapısı yatay elektrik alanlarını artırarak taşıyıcı hızlanmasını ve enjeksiyon verimliliğini iyileştiriyor. 5V gerilim altında 400 pikosaniye gibi etkileyici bir yazma süresi elde edildi ve cihaz, 5,5 milyon döngü boyunca performansını korumayı başardı. Ayrıca yapılan uzun vadeli testler, verilerin 10 yıl boyunca stabil kalabildiğini gösterdi.
Çalışmanın baş araştırmacısı Zhou Peng, “Yapay zeka algoritmalarını kullanarak üretim test koşullarını optimize ettik ve bu yeniliği önemli ölçüde ileriye taşıdık. Bu teknoloji, gelecekteki uygulamalar için büyük bir potansiyel taşıyor.” ifadelerini kullandı.
Araştırmada yer alan Liu Chunsen ise, tamamen işlevsel bir çip üretmeyi başardıklarını ve şimdi bu teknolojiyi mevcut cihazlara entegre etmeyi hedeflediklerini söyledi:
“Bir sonraki adım, bu belleği akıllı telefonlar ve bilgisayarlara entegre etmek. Böylece yerel modeller çalıştırıldığında mevcut depolama teknolojilerinin yarattığı gecikme ve ısınma sorunları ortadan kalkacak.”
Bu devrim niteliğindeki gelişmenin, Çin’in küresel bellek teknolojisi alanında liderlik etmesine ve sanayi dönüşümünü hızlandırmasına katkı sağlaması bekleniyor.
